10:1027 декабря 2010
На прошлой неделе первый вице–президент ГК "Оптоган" Алексей Ковш подписал соглашение о стратегическом сотрудничестве с Министерством промышленности Челябинской области и Российским Федеральным ядерным центром — ВНИИ технической физики им. академика Е.И. Забабахина (РФЯЦ – ВНИИТФ).
Условия соглашения предполагают сотрудничество сторон в
целях формирования совместных проектов по дальнейшему совершенствованию
технологий эпитаксиального выращивания, а также процессирования светодиодных
чипов.
Так, в рамках нового соглашения группа компаний "Оптоган"
проведет тестирование эпитаксиальных гетероструктур, созданных в ядерном центре,
сообщает ИА Regnum.
Читайте также:
В Петербурге светодиодный аналог "лампочки Ильича" будет стоить 995 рублей
"Оптоган" подписал соглашение с немецким Atlantik Elektronik о поставках...
"Оптоган": история успеха
Администрация Кронштадта и ЗАО "Оптоган" подписали соглашение о...
Энергетики Омска и "Оптоган" договорились о сотрудничестве
"Нам интересна технологическая площадка центра, у которой
есть и квалифицированные кадры, и потенциал серьезных научных разработок и
производства светодиодных чипов. В настоящий момент мы потребляем чипы только
собственного производства, однако готовы поддержать любого российского
производителя и разработчика этой самой наукоемкой части производства", —
заявил Алексей Ковш.

